Hace ya tiempo que los diseñadores de los ordenadores sueñan con una tecnología de memoria universal que sustituya la combinación de RAM (que es rápida pero cara y volátil, lo que significa que requiere una fuente de alimentación energética para retener la información almacenada) y memorias flash (que no son volátiles pero sí relativamente lentas).
La urgencia aumenta mientras la ley de Moore, que durante tanto tiempo ha gobe ado el ritmo al que encogían los transistores de silicio, empieza a esfumarse. Si no podemos introducir más transistores en un chip de RAM, tendremos que encontrar una tecnología de memoria rápida, barata, nueva y no volátil capaz de almacenar enormes cantidades de datos.
Una alte ativa prometedora al dúo de RAM y memoria flash son los materiales de cambio de fase. Este nuevo tipo de memoria almacena los datos al provocar un cambio de fase en un tipo de material llamado vidrio de calcogenuro, que pasa de estado amorfo a cristalino. Es potencialmente rápido como la memoria RAM y no volátil como la flash. Desde 2010, Desmond Loke y sus compañeros han resuelto varios problemas críticos que obstaculizaban su comercialización.
Como resultado, este investigador de Singapur ha creado una versión de una memoria de cambio de fase que es igual de rápida que los chips de RAM e incorpora una capacidad de almacenaje mucho mayor que las unidades flash.
Durante años, los investigadores han sido incapaces de acelerar más allá de unos 50 nanosegundos la velocidad a la que un material pasa de cristal ordenado a vidrio amorfo, dos configuraciones que representan el 1 y el 0 del código binario. Por su parte, los chips de RAM necesitan menos de un nanosegundo para encender o apagar los transistores. Pero al aplicar una pequeña y constante descarga al material, Loke encontró que podía reducir el tiempo de conmutación hasta medio nanosegundo. Junto con sus compañeros, también ha reducido el tamaño de un bit de célula de memoria a tan sólo unos pocos nanómetros. Y averiguó cómo reducir enormemente el consumo energético y permitir que las células sean apiladas en tres dimensiones para integrar una capacidad de memoria aún mayor.
—Michael Reilly
