Aunque parece un truco sencillo, Dai señala que de alguna forma este proceso produjo resultados inesperados. “Lo que resulta interesante es que no hayamos ningún tipo de reducción en la movilidad de los electrones,” afirma. Esto significa que los electrones eran capaces de desplazarse por el grafeno a la misma velocidad que antes, lo cual resulta de gran importancia puesto que la movilidad de los electrones hace que el grafeno sea un material muy atractivo para la construcción de aparatos electrónicos en el futuro.
Dai sospecha que la razón de todo esto reside en el hecho de que los bordes de las cintas de grafeno tienen mayor tendencia a unirse a los átomos de nitrógeno que a los átomos dentro de la cinta. Esta observación es de gran importancia, señala: coincide con la teoría desarrollada por sus colegas de la Universidad de Florida, entre los que se incluyen Youngki Yoon y Jing Guo, que afirma que las cintas de grafeno se pueden estimular—o alterar químicamente, como en el caso de los transistores de tipo n y t—mediante la unión de átomos a sus bordes, dado que las cintas en si son extremadamente estrechas. Esto debería facilitar la construcción de aparatos electrónicos puesto que controlar la estimulación de los átomos dentro de las hojas de grafeno resulta un reto mayor.
Dai afirma que los nuevos resultados sirven como base para el mejor entendimiento de la química de las cintas de grafeno, y para la experimentación con átomos que puedan usarse para la estimulación del grafeno. Aún así, afirma que los investigadores tienen un largo camino por recorrer antes de poder producir circuitos de grafeno que puedan competir con los de silicio. Uno de los problemas principales, es que aún no es posible fabricar las cintas de forma completamente uniforme—algo que resulta un requerimiento para el proceso de manufacturación estándar.