Los dispositivos de almacenamiento hechos a partir de memristores permitirán a los PCs, teléfonos móviles y servidores almacenar más y cambiar al instante.
Los memristores son interruptores electrónicos a nanoescala con una resistencia variable, y pueden mantener su resistencia, incluso cuando se apaga el sistema. Esto hace que sean similares a los transistores utilizados para almacenar datos en la memoria flash. Sin embargo los memristores son considerablemente más pequeños—hasta tres nanómetros. Por el contrario, los fabricantes están experimentando con componentes de memoria flash con un tamaño de hasta 20 nanómetros.
"El objetivo es ser por lo menos el doble de lo que la memoria flash sea en tres años—sabemos que sobrepasaremos a la memoria flash en velocidad, potencia y resistencia, y queremos vencer en cuanto a densidad también", afirma Stanley Williams, miembro senior de HP que ha venido desarrollando memristores en su laboratorio durante unos cinco años.
HP crea memristores mediante el establecimiento de nanocables paralelos sobre un substrato de metal, recubriéndolos con una capa de dióxido de titanio, y colocando una segunda capa de nanocables perpendicular a la primera capa. En el punto en que los cables se cruzan, se crea un memristor. HP espera que los primeros dispositivos con memristores ofrezcan cerca de 20 gigabytes de almacenamiento por centímetro cuadrado, el doble de la capacidad proyectada para la memoria flash en este momento. La compañía ha usado las siglas "ReRAM" para referirse al almacenamiento de datos basado en memristores, que provienen del inglés "Resistive Random Access Memory".
Al igual que las otras tecnologías de silicio, la memoria flash se está acercando a los límites físicos de lo que es posible hacer con la miniaturización. La memoria flash también se desgasta después de cerca de 100.000 ciclos de lectura-escritura (algo mayor al tiempo de vida de la mayoría de los dispositivos), mientras que las pruebas de laboratorio han demostrado que los memristores pueden soportar hasta un millón de ciclos de lectura y escritura.
Bajo los términos del nuevo acuerdo, HP mantendrá la propiedad intelectual relacionada con los memristores. Hynix fabricará y venderá memoria de memristores a HP y a otros clientes. Williams afirma que el objetivo de la compañía es animar a la industria a adoptar la memoria de memristores. "El beneficio económico para HP será el primer motor", afirma Jim McGregor, estratega tecnológico de la firma de análisis industrial InStat.
El desplazamiento del sistema flash podría alargarse durante años y costar miles de millones de dólares, y la industria posee otros tipos experimentales de memoria que considerar, señala McGregor. Los investigadores están trabajando en materiales de cambio de fase y ferroeléctricos que puedan crear nuevas formas de memoria. McGregor considera que, dada la probabilidad de que se produzcan baches en la industria de manufactura, es poco probable un producto comercial con memristores esté disponible en 2013, tal y como predicen HP y Hynix.
Sin embargo, Williams no prevé obstáculos principales de fabricación. Afirma que HP ha estado trabajando durante el último año en varios dispositivos prototipo con un fabricante de semiconductores cuya identidad no ha sido revelada. Williams añade que los memristores se pueden hacer con materiales y maquinaria que ya están presentes en las fábricas de semiconductores.
Dan Olds, consultor de Gabriel Consulting Group en Beaverton, Oregon, es optimista en cuanto a la tecnología. "El cielo es el límite si pueden cumplir la promesa que suponen los memristores—la pregunta es a qué precio, y con qué velocidad bajarán los precios", afirma. "Cada nueva tecnología supone un todo o nada, pero si es una cuestión de ingeniería y no de investigación básica, entonces te sientes más seguro a la hora de apostar por ella".